Intel Atom Z5xx Series 中文
产品简介
英特尔® 凌动 处理器嵌入式计算
支持嵌入式计算的英特尔® 凌动 处理器 Z5xx
系列
产品概述
英特尔® 凌动 处理器 Z5xx 系列提供多种设计选择,包括 2.0 和 2.2 瓦特的散热设计功耗1 (TDP)、两种封装尺寸以及工业和商用两种温度范围。这些处理器基于 45 纳米英特尔® 架构,采用创新的电源管理技术,是散热受限和无风扇嵌入式应用的理想之选。这些处理器具有嵌入式生命周期的支持,与之前的 32 位英特尔® 架构及其他芯片保持良好的软件兼容。
这些单核处理器与英特尔® 系统控制集线器 (System Controller Hub) US15W (英特尔® SCH US15W, 提供两种封装尺寸) 一起工作。英特尔® 系统控制集线器 US15W 将英特尔® 图形媒体加速器 (英特尔® GMA 500)、内存控制器和 I/O 控制器集成在单个芯片中。英特尔® SCH US15W 具有高级 3D 图形功能和硬件视频解码加速功能,支持英特尔® 高清晰度音频2,且具有扩展 I/O 功能,如 USB 2.0、GPIO、PATA、LPC 和 PCI Express*。此外,它还有工业和商用两种温度范围可供选择。
这些双芯片平台解决方案可帮助开发人员打造各种尺寸和散热要求的产品系列,满足各个嵌入式市场的需求,如车载信息娱乐系统、工业控制和自动化、游戏、医疗、媒体电话、零售和交易解决方案 (如 kiosk、POS 服务终端) 等。
产品主要特点
该系列有六种处理器可供选择,提供不同的处理器主频、前端总线 (FSB)、TDP、封装尺寸、温度范围以及对英特尔® 超线程技术3 (HT 技术) 的支持能力,请参见表 2。 与以前的 65 纳米技术相比,英特尔开发出的基于金属铪的 45 纳米 Hi-k 金属栅硅片工艺技术可降低功耗、提高转换速度,并显著增加了晶体管密度。
将每条指令的多条微指令融合成一条微指令并在单个周期中执行,从而增强性能、节省功耗,并提高调度效率。
与乱序执行相比,循序执行核心的功耗大大降低。
HT 技术 (仅适用于指定的 SKU) 通过循序流水线技术提供高效
的性能功耗比。HT 技术可在多任务环境中提高系统响应性。一个执行核心被视为两个逻辑处理器,而且并行线程可在具有共享资源的单核上执行。
新的 C6 状态 (深度节能技术) 降低了处理器核心与高速缓存的功耗,因此漏电现象比 C4 状态要少。这项技术对操作系统是透明的,且符合现有的移动 C 状态退出延迟标准。 分离的 VTT 轨线可使 I/O 功耗降低大约 90%,从而减少 C6 状态的漏电现象并显著降低空闲功耗。
利用 CMOS 驱动器处理多种前端总线信号,使 I/O 功耗得到 降低。
由于采用晶体管睡眠模式,动态二级缓存容量调整可有效减少漏电现象。
SSE3 指令集使软件能够加速特定区域的数据处理,例如复杂运算和视频解码。