基于Charge Pump技术的低压高频Antiringing MOS开关驱动电路

本文给出了一种基于Charge Pump适用于低压高频Antiringing MOS开关的驱动电路。该驱动电路工作电压最低可达1.8V,工作频率最高达5MHz。文章从Charge Pump及Antiringing的基本原理出发详细介绍了此驱动电路设计思想,并且给出最终设计电路。该电路基于Samsung 0.65-μm BiCMOS工艺设计,经过HSPICE仿真验证。

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